半導(dǎo)體薄膜沉積PVD設(shè)備是決定關(guān)鍵制程的設(shè)備,磁性組件是其中的關(guān)鍵零部件。該工藝?yán)脼R射源在工藝腔室內(nèi)形成交互的電磁場,延長電子的運動路徑進(jìn)而提高等離子的濃度,最終實現(xiàn)沉積效果的提升。磁場的形態(tài)是PVD工藝的關(guān)鍵,直接影響到金屬薄膜沉積的速率與效果,以及靶材的利用率。
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